Воскресенье, 2025-11-09, 12:15 PM

Приветствую Вас Гость

НОВОСТИ ЗЕМНОГО ШАРА

Поиск

Pеклама

Закладки

Календарь

Наш опрос

Статистика

Онлайн всего: 1

Гостей: 1

Пользователей: 0

Архив записей

Главная » » Получен новый метод создания транзисторов 3D

11:37 PM Получен новый метод создания транзисторов 3D
Сингапурские специалисты из компании «A*STAR», занимающейся наукой, технологиями и исследованиями, создали новую уникальную методику, по которой можно уменьшить площадь двух транзисторов одновременно. Методика касается 3D-компоновки и довольно проста в применении, однако, довольно-таки оригинальна. На фото наглядно показан такой вариант. Специалисты предлагают идею, которая заключается в следующем. С помощью одного нанопроводника транзисторы размещаются один над другим. При этом используются специальные опоясывающие затворы, известные, как «wrap-around gates». Они имеют цилиндрическую часть, в центре которой проходит нанопроводник. Между этими затворами имеется диэлектрический и изолирующий слой. На основе таких транзисторов, расположенных вертикально, ученые уже смогли продемонстрировать, каким образом можно создать простейший логический элемент. Ток в такой схеме начинает протекать тогда, когда на обоих затворах наблюдается высокое напряжение. В обратном случае ток отсутствует. Главным преимуществом такого устройства является его небольшой размер, который, по сути, сокращен вдвое. Использоваться оно может в перспективе во всех электронных схемах, представленных в виде 3D-структур. Меценат новости: медийный портал предлагает большое количество интереснейших фильмов. Старые советские фильмы, боевики и приключения — все это и не только на roseya.ru — информационном медийном портале. Также на сайте можно узнать последние новости из мира спорта, культуры и др. Через портал можно также найти то или иное объявление или разместить его.
1 2 3 4 5 Просмотров: 452 \| Добавил: DoRin \| Рейтинг: 0.0/0

Всего комментариев: 0

Copyright MyCorp © 2025 | Конструктор сайтов — uCoz